信电系关于举行“I•SEE”学术论坛第五场报告会暨旺宏微电子专场报告会的通知

主页:必赢体育官方网站 编辑:xsgz 日期:2010-05-06 访问次数:3608
宣讲会主题:
闪存前瞻技术发展分析及展望
 
演讲人:
王成渊博士:旺宏电子前瞻技术实验室先进系统研发处协理; 美国 Santa Clara University 电子工程博士;超过20年闪存产品和应用领域经验:著有10本专业书籍和拥有12 项美国专利。.
谢光宇博士:旺宏电子前瞻技术实验室纳米技术研究处处长; 美国North Carolina State University,材料科学博士; 闪存器件领域专家:发表75篇期刊论文及拥有30项专利
时间地点:5月10日晚6:30,教3-441
纪念品赠送: 
公司在报告会之后会进行宣讲会,并准备了丰富礼品:参与宣讲互动问答的同学将有精美U盘等礼品相赠,数量多,期待您的参与!
 
 
内容简介:
本次演讲中将会对下一世代的闪存发展做前瞻性分析。同时介绍旺宏电子在闪存领域近年来研发的成果,以及旺宏在IEDM大会上发表论文的内容介绍。
全球闪存卡市场容量从2003年的80亿美元增加到2009年的310亿美元。闪存的应用近年来大幅成长而且成长的速度持续加快当中。传统以浮动闸极为基本记忆晶胞的闪存,不管是对NAND或是NOR而言开始面临了在尺寸微缩的严峻挑战。为了能够使半导体微缩工程持续,以电荷撷取(Charge trapp)为记忆晶胞的的组件被引入,这其中包括了high-K绝缘层,能隙工程甚至是记忆晶胞的堆栈都全部被考虑才有机会延续这微缩的挑战。但尽管如此电荷撷取闪存依旧会因组件过小以致于所储存的电荷数目过少而导致产品的记忆可靠度与保存期限的缩短,而同样步入浮动闸极的命运。而下一个接棒者将会放弃以电荷多寡作为储存数据的机制,转向以改变材料电阻之高低来作为记忆方式。因此相变化内存(PCM)以及电阻式内存(ReRAM)就成了下一阶段的研究对象。旺宏电子领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS™论文; 2009年在IEDM大会「Memory Technology-Flash Memory 」的讨论主题上,旺宏有三篇在会中发表,占发表论文总数的近一半(总计7篇)。
公司简介:
旺宏电子是全球最大的只读存储器(ROM)生产制造商和嵌入式市场全球第三大NOR闪存供应商。提供跨越广泛规格及密度的ROM以及NOR闪存,并在相变化存储器(PCM)领域具有许多重要技术与专利。旺宏的ROM产品与技术领先业界,市场占有率超过八成,在串行NOR闪存市场的占有率也高达38%以上。旺宏电子目前拥有超过三千六百项国际关键技术及专利等智慧财产权,与IBM成立技术合作联盟,共同进行相变化闪存先驱技术的研究。
信电系博士生会
2010.5
 
 
 
 


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